Američki IBM planira da do 2004. godine napravi prototip magnetske memorije sa neposrednim pristupom (Magnetic Random Access Memory, MRAM), koji nagoveštava značajno smanjenje potrošnje iz baterije i preobražaj personalnog računara u mašinu sa trenutnim uključivanjem, uz nestanak čuvenog “podizanja računara na radni nivo”.
IBM-ov prototip bi trebalo da utre put novom tipu memorije koji će zameniti većinu današnjih fleš memorija, kao i dinamičkih i statičkih memorija sa neposrednim pristupom (DRAM i SRAM) i postati univerzalna, standardna tehnologija memorijâ sa neposrednim pristupom.
Suština inovacije je u tome što se u magnetskim memorijama, umesto kondenzatora, koristi magnetski film. Jedna od prednosti ovih memorija je i to što su u stanju da, ukoliko je potrebno, trajno čuvaju zapamćeni sadržaj. Sa druge strane, pošto se u dinamičkim memorijama sadržaj čuva u vidu naelektrisanja kojim su napunjeni kondenzatori, čim se isključi napajanje oni se prazne, a sadržaj se gubi.
To znači da se svaki put kada treba sačuvati podatke oni moraju snimiti na disk, pošto je on magnetski medijum. Magnetskim memorijama to, sa druge strane, nije potrebno, tako da, i kada se isključi računar, nema razloga za brigu o tome hoće li podaci biti sačuvani. Prvi MRAM čipovi bi trebalo da imaju kapacitete u inkrementima od po 64 kilobajta.
Korišćenje magnetne polarnosti umesto naelektrisanja znači i da se podaci ne moraju periodički osvežavati, što vreme koje se troši na podizanje operativnog sistema računara svodi na zanemarljivu meru. Zahvaljujući tome, računar se uključuje gotovo trenutno – slično uključivanju televizora ili mašine za veš, na primer.
Ista osobina, po istom principu, značajno smanjuje i potrošnju iz baterije jer magnetskoj memoriji nije potrebno stalno napajanje kao što je to slučaj sa dinamičkim i statičkim memorijama.
Poznavaoci industrije predviđaju da tržišni potencijal magnetskih memorija iznosi oko 40 milijardi dolara do 2005. godine.
A sada, malo o tranzistorima i čipovima. IBM je saopštio da je napravio najbrži silicijumski tranzistor na svetu, koji će već za oko dve godine omogućiti da komunikacioni čipovi postignu brzinu od 100 GHz.
Novi tranzistor može da postigne brzinu i od 210 GHz, a da u isto vreme koristi struju jačine svega 1 mA, kažu u IBM-u.
Ovo nije prvi tehnološki iskorak Velikog Plavog u poslednjih nekoliko meseci kada je u pitanju tranzistorska tehnologija. IBM je još u aprilu predočio javnosti da je napravio prvu grupu tranzistora od ugljeničnih nanovlakana, sićušnih cilindara sastavljenih od atomâ ugljenika (prečnika su 10 C atoma, dakle 500 puta manji od aktuelnih silicijumskih tranzistora i 1.000 puta jači od čelika odgovarajuće debljine), koji omogućuju da se naprave čipovi manji i od silicijumskih. Zahvaljujući manjim dimenzijama ugljeničnih poluprovodnika, na čip se može smestiti više tranzistora nego što to omogućuje silicijum.
Početkom juna, IBM je došao do još jedne inovacije koja bi potencijalno mogla biti vrlo značajna za tehnologiju proizvodnje čipova – u pitanju je “rastegnuti silicijum” (strained silicon). Ovaj postupak dopušta da se materijal rastegne i na taj način ubrza protok elektrona kroz tranzistore, čime im se povećavaju performanse, a ujedno i smanjuje potrošnja. Kompanija navodi da može da ubrza silicijumske tranzistore zahvaljujući svom radu sa materijalom nazvanim “silicijumski germanijum”, koji služi kao podloga kojom se silicijum rasteže.
Na najnovijem modelu silicijumskog tranzistora, “silicijumski germanijum” je kombinovan sa redizajniranim tranzistorom koji, umesto horizontalno, radi vertikalno, čime su smanjene dimenzije tranzistora i skraćene električne putanje, što je i dovelo do ubrzanja protoka elektriciteta.
Pratite Krstaricu i preko mobilne aplikacije za Android i iPhone.