Alternativa silicijumskom čipu

Mladi naučnik, doktor nauka Veiksiao Huang (Weixiao Huang) s Politehničkog instituta u Renselaru (Rensselaer Polytechnic Institute), privukao je pažnju nekih od najvećih američkih i japanskih kompanija iz automobilske industrije još pre nego što je postao doktor nauka. Naime, ovaj mladi naučnik izumeo je zamenu za jedan od najzastupljenijih delova svih današnjih elektronskih sklopova – silicijumski čip.
Pronalazak ovog mladog naučnika, novi tranzistor, bazira se na jedinjenju poznatom pod imenom galijum-nitrid (GaN). Ovi novi GaN tranzistori imaju svojstvo da smanjuju potrošnju energije i povećavaju snagu elektronskih sistema, a njihova primena moguća je u svim oblastima, počev od auto-industrije i hibridnih vozila pa sve do upotrebe u kućnim aparatima i uređajima. Prema rečima doktora Huanga, silicijum je bio glavna osnova industrije poluprovodnika u poslednje dve decenije, ali kako je elektronika postala više sofisticirana i kako se danas od tranzistora zahtevaju veće performanse, inženjeri su tražili alternativu silicijumu, a jedna od njih bio je i galijum-nitrid, za koji se znalo da ima bolje performanse od silicijuma i da se stabilnije ponaša u ekstremnim uslovima rada.
Ovaj mladi naučnik prvi je uspeo da napravi i razvije prvi upotrebljivi GaN MOS (metal/oxide/GaN) poluprovodnik. I pre se znalo da GaN i drugi materijali bazirani na galijumu imaju veoma dobre električne osobine, ali niko nije uspeo da razvije upotrebljiv GaN MOS tranzistor. Hunag je uspeo da napravi i praktično pokaže prvi GaN MOSFET tranzistor na svetu. Prema njegovim rečima, primena ovog njegovog izuma umnogome će pojednostaviti elektronske sklopove, a u poređenju s klasičnim silicijumskim MOSFET-om on troši manje električne energije, omogućava izradu čipova manje veličine i omogućava veću snagu samog elektronskog sklopa, a takođe omogućava i integraciju nekoliko elektronskih funkcija u jedan čip, što dosad nije bilo moguće.
Prema rečima doktora Huanga, novi tranzistori umnogome smanjuju potrošnju energije, čineći konverziju energije mnogo efikasnijom u odnosu na stare tranzistore bazirane na silicijumskoj tehnologiji, što će u krajnjem slučaju znatno uticati na smanjenje globalnog zagrevanja i zagađenja. Ovi novi GaN tranzistori dozvoljavaju da elektronski sistemi nesmetano funkcionišu u ekstremno toplim i hladnim uslovima te omogućuju korišćenje elektronike i u jakom električnom polju, pa čak i u procesima gde se javlja radijacija. Zbog njihove fleksibilnosti u primeni sada se pred inženjerima otvara jedno novo polje primene elektronike, koje ranije nije postojalo zbog ograničenja nametnutih tehnologijom zasnovanom na silicijumu.

Pratite Krstaricu i preko mobilne aplikacije za Android i iPhone.