Kompanije Toshiba i Infineon zajedno će finansirati razvoj tehnologije feroelektrične RAM memorije – štedljivih modula za sledeću generaciju mobilnih telefona.
Investicija je “teška” oko 60 miliona dolara, a zaposliće preko 50 inženjera i trebalo bi da rezultira prvim komercijalnim proizvodom do kraja 2002. godine.
Prvi FRAM moduli izrađivaće se u tri varijante – kapaciteta 32, 64 i 128 megabajta.
Feroelektrični memorijski moduli spadaju u kategoriju RAM memorija koje čuvaju podatke i onda kada je uređaj u koji su ugrađeni isključen.
Ta tehnologija razvija se već nekoliko godina u laboratorijama raznih japanskih i američkih kompanija (Hyundai, Symetrix i Celis), a već se koristi u raznim industrijskim uređajima i bezbednosnim sistemima.
Glavna prednost FRAM memorije kod primene u mobilnim telefonima i drugim prenosnim uređajima, osim toga što čuva podatke i po isključivanju, jeste mala potrošnja energije.
Pratite Krstaricu i preko mobilne aplikacije za Android i iPhone.
